图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IPB042N10N3 G, IP(I,P)045N10N3 G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 100A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.5V @ 150µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 117nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 8410pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 214W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 100A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.5V @ 150µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 214W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 8410pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 117nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 其他名称 | IPB042N10N3 GCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| 封装/外壳 | TO-263 |
| 零件号别名 | IPB042N10N3GATMA1 SP000446880 |
| 下降时间 | 14 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商品名 | OptiMOS |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IPB042N10 |
| RDS（ON） | 4.2 mOhms |
| 功率耗散 | 214 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 59 ns |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| 宽度 | 9.25 mm |
| Qg - Gate Charge | 117 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 73 S |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| 长度 | 10 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.6 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 4.4 mm |
| 典型导通延迟时间 | 27 ns |
| Pd - Power Dissipation | 214 W |
| 技术 | Si |
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